描述
EM603-8 IC 带状线 TEM 单元数据手册 （PDF）
1. 描述
ESDEMC 的 EM603-8 是一款 8 GHz IC 带状线 TEM 小室，可产生电磁场，用于测试 IC、无线通信模块等小型设备。通过 EM603-8 的输入端口施加的外部测试信号会产生一致且细胞内可预测的 TEM 测试场。也可以使用测试接收器通过端口检测来自在 Cell 中传输的设备的辐射场。
独特的紧凑和经济设计针对超出标准 TEM 小室频率范围的中等精度测量进行了优化。 EM603-8 的工作原理与 TEM小室基本相同。测试体积内的 E-H 场与输入电压成正比，与电池高度成反比。如果在单元内部插入辐射物体，则朝向输入端口的辐射波由传输线引导，并在输入端被接收器（例如频谱分析仪）拾取。使用这种方法，可以定量测量来自辐射设备的 RFI。由于该设备的宽带非常宽，因此在 EMI、EMS、接收机灵敏度测试等领域有许多应用。
2. 特点
- 高达 8 GHz 的带宽（超出 1 GHz 的正常 TEM 单元带宽）
- 可测试高达 1 kV 的场注入高压
3. 应用
- IC的电磁抗扰度测试
- IC的电磁辐射测试
- IC的ESD/Surge磁场敏感性测试
- IEC 61967-8:2011 集成电路 – 电磁辐射测量，150 kHz 至 3 GHz – 第 8 部分：辐射发射测量 – IC 带状线方法
- IEC 61967-2 集成电路 – 电磁辐射测量，150 kHz 至 1 GHz
– 第 2 部分：辐射发射的测量 – TEM 小室和宽带 TEM 小室方法
- IEC 62132-8 集成电路 – 电磁抗扰度的测量 – 第 8 部分：辐射抗扰度的测量 – IC 带状线法
- SAE 1752-3 集成电路辐射发射的测量 – TEM/宽带
- TEM (GTEM) 小室法； TEM 小室（150 kHz 至 1 GHz）、宽带 TEM 小室（150 kHz 至 8 GHz）
4. 参数
| 规格 | 参数 |
| 频率范围 | DC to 8 GHz (不希望的高阶模式的第一次尖峰 > 6 GHz) |
| TEM 小室阻抗 | 50 Ω ± 5% nominal |
| VSWR | DC- 3 GHz <1.2 3 – 8 GHz <1.5 |
| 插入损耗 (S21) | DC – 8 GHz <1 dB |
| 回波损耗（S11 和 S22） | DC- 3 GHz >20 dB 3 – 8 GHz >14 dB |
| 有效隔垫到壁高 | 8.0 mm |
| 电池中心的电场强度 | 125 V/m @ 1V (max 125 kV/m @ 1kV) |
| 电池中心的 H 场强度 | = E-Field Strength /377 (A/m) |
| 射频连接器 | SMA |
| 最大输入功率 | 70 Watts |
| 最大输入电压 | 1 kV @ DC |
| DUT 端口尺寸 | 40 (W) x 40 (D) mm |
| 建议最大DUT尺寸 | 20 (L) x 20 (W) x 2 (H) mm |
| TEM小室尺寸 | 120 (W) x 52 (D) x 20 (H) mm |
| 重量 | 约 0.5 kg |
5. 订购信息
| Line | Part # or Option # | 描述 | 状态 |
| 1 | EM603-8 | EM603 IC 带状线 TEM小室, DC-8 GHz | 可订购 |
