描述
EM603-8 IC 带状线 TEM 单元数据手册 (PDF)
1. 描述
ESDEMC 的 EM603-8 是一款 8 GHz IC 带状线 TEM 小室,可产生电磁场,用于测试 IC、无线通信模块等小型设备。通过 EM603-8 的输入端口施加的外部测试信号会产生一致且细胞内可预测的 TEM 测试场。也可以使用测试接收器通过端口检测来自在 Cell 中传输的设备的辐射场。
独特的紧凑和经济设计针对超出标准 TEM 小室频率范围的中等精度测量进行了优化。 EM603-8 的工作原理与 TEM小室基本相同。测试体积内的 E-H 场与输入电压成正比,与电池高度成反比。如果在单元内部插入辐射物体,则朝向输入端口的辐射波由传输线引导,并在输入端被接收器(例如频谱分析仪)拾取。使用这种方法,可以定量测量来自辐射设备的 RFI。由于该设备的宽带非常宽,因此在 EMI、EMS、接收机灵敏度测试等领域有许多应用。
2. 特点
- 高达 8 GHz 的带宽(超出 1 GHz 的正常 TEM 单元带宽)
- 可测试高达 1 kV 的场注入高压
3. 应用
- IC的电磁抗扰度测试
- IC的电磁辐射测试
- IC的ESD/Surge磁场敏感性测试
- IEC 61967-8:2011 集成电路 – 电磁辐射测量,150 kHz 至 3 GHz – 第 8 部分:辐射发射测量 – IC 带状线方法
- IEC 61967-2 集成电路 – 电磁辐射测量,150 kHz 至 1 GHz
– 第 2 部分:辐射发射的测量 – TEM 小室和宽带 TEM 小室方法
- IEC 62132-8 集成电路 – 电磁抗扰度的测量 – 第 8 部分:辐射抗扰度的测量 – IC 带状线法
- SAE 1752-3 集成电路辐射发射的测量 – TEM/宽带
- TEM (GTEM) 小室法; TEM 小室(150 kHz 至 1 GHz)、宽带 TEM 小室(150 kHz 至 8 GHz)
4. 参数
规格 | 参数 |
频率范围 | DC to 8 GHz (不希望的高阶模式的第一次尖峰 > 6 GHz) |
TEM 小室阻抗 | 50 Ω ± 5% nominal |
VSWR | DC- 3 GHz <1.2 3 – 8 GHz <1.5 |
插入损耗 (S21) | DC – 8 GHz <1 dB |
回波损耗(S11 和 S22) | DC- 3 GHz >20 dB 3 – 8 GHz >14 dB |
有效隔垫到壁高 | 8.0 mm |
电池中心的电场强度 | 125 V/m @ 1V (max 125 kV/m @ 1kV) |
电池中心的 H 场强度 | = E-Field Strength /377 (A/m) |
射频连接器 | SMA |
最大输入功率 | 70 Watts |
最大输入电压 | 1 kV @ DC |
DUT 端口尺寸 | 40 (W) x 40 (D) mm |
建议最大DUT尺寸 | 20 (L) x 20 (W) x 2 (H) mm |
TEM小室尺寸 | 120 (W) x 52 (D) x 20 (H) mm |
重量 | 约 0.5 kg |
5. 订购信息
Line | Part # or Option # | 描述 | 状态 |
1 | EM603-8 | EM603 IC 带状线 TEM小室, DC-8 GHz | 可订购 |