描述
1.描述
ESDEMC 的 EM602-10 是一款 10 GHz 迷你 TEM 小室,可产生非常强的电磁场,用于测试传感器、IC、无线通信模块等小型设备。通过 TEM 小室的输入端口施加的外部测试信号会在小室内产生一致且可预测的 TEM 测试场。也可以使用测试接收器通过端口,检测来自在小室中的器件所发射的辐射场。
独特的紧凑型设计针对在场强和频率范围内超出标准 TEM 小室的非常强的电磁场注入测试进行了优化。测试体积内的 E-H 场与输入电压成正比,与小室高度成反比。如果在小室内部插入辐射物体,则朝向输入端口的辐射波由传输线引导,并在输入端被接收器(例如频谱分析仪)拾取。使用这种方法,可以定量测量来自辐射设备的 RFI。由于该设备带宽较大,因此在 EMI、EMS、接收器灵敏度测试等领域有许多应用。 EM602 TEM 小室 需要 40W 输入功率才能实现 > 20 kV/m RMS 电场 或 > 80 A/m RMS 磁场。建议测试 PCB 具有镀金属边缘以获得更好的屏蔽。
2.特点
- 高达 10 GHz 的带宽(高于正常 TEM 小室的3 GHz带宽)
- 可为传感器注入高达 20 km/m 的电场
3.应用
- IC的电磁抗扰度测试
- IC的电磁辐射测试
- IC的ESD场敏感性测试
- IEC 61967-2集成电路 – 电磁辐射测量,150 kHz 至 1 GHz – 第 2 部分:辐射发射测量 – TEM 小室和宽带 TEM 小室方法
- IEC 61967-8集成电路 – 电磁辐射测量,150 kHz 至 3 GHz – 第 8 部分:辐射发射测量 – IC 带状线方法
- IEC 62132-8集成电路 – 电磁抗扰度测量,150 kHz 至 3 GHz – 第 8 部分:辐射抗扰度测量 – IC 带状线法
- SAE 1752-3 集成电路辐射发射的测量 – TEM/宽带 TEM (GTEM) 单元法; TEM 单元(150 kHz 至 1 GHz)、宽带 TEM 小室(150 kHz 至 8 GHz)
4.规格
参数 | 数值 | ||
频率范围 | DC – 10 GHz (由不需要的高阶模式引起的第一次尖峰 > 10 GHz) | ||
TEM 细胞阻抗 | 标称50Ω ± 5% | ||
VSWR | DC- 3 GHz <1.2 3 – 10 GHz <1.5 |
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插入损耗 (S21) | DC- 10 GHz <1 dB | ||
回波损耗(S11 和 S22) | DC- 3 GHz >20 dB 3 – 10 GHz >14 dB |
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有效单元高度 | 1.6 mm | ||
电池中心的电场强度 | >= 20 kV/m @ 40W | ||
电池中心的 H 场强度 | >= 80A/m @ 40W | ||
射频连接器 | SMA | ||
最大输入功率 | 70 瓦 | ||
最大输入电压 | 1 kV | ||
测试 PCB 尺寸 | 26 x 26 mm | ||
推荐的最大 DUT 尺寸 | 10 (W) x 10(W) x 0.5(H) mm | ||
重量 | 约0.2 kg |