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即将上市:HVAT-3K20-1G22E高能量脉冲宽带衰减器

ESDEMC正在扩展其高压脉冲衰减器的品类,开发了HVAT-3K20-1G22E型号高能量脉冲衰减器。 尽管带宽不如其他ESDEMC衰减器(HVAT-3K20-1G22E的工作频率为DC – 1GHz,衰减变化<±1 dB),但该型号衰减器能够承受的能量比其他型号高很多。下表比较了HVAT-3K20-1G22E和市场上其他20 dB高压脉冲衰减器的主要参数。

 

带宽

经测试的最大电压@脉冲宽度

峰值功率(在SOA *之内)

最大单脉冲能量

连接器

衰减

ESDEMC

HVAT-3K20-1G22E

DC – 1 GHz(1dB Band) 3kV, 1ms5kV, 1us 180kW 200 J N-Type 20dB

ESDEMC

HVAT-3K20-3.5

DC – 3.5 GHz(1dB Band) 3 kV, 500 ns 180kW 0.1 J SMA 20dB

ESDEMC

HVAT-5K20-3.5

DC – 3.5 GHz(1dB Band) 5kV, 500 ns 500kW 0.5 J N-Type 20dB

HPPI

HVA-20A

DC – 7 GHz(3dB Band) 1.5 kV, 1 us 45 kW NA SMA 20dB

Barth

Model 102 Series

DC – 7 GHz(3dB Band) 5 kV, 80 ns 500 kW NA N-Type 20dB

 

下图是HVAT-3K20-1G22E的频率响应。 另外,ESDEMC可定制衰减器的衰减倍数。

HVAT-3K20-1G22E高能脉冲宽带衰减器

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即将上市:支持多种测试方法,更精准电机启动,更大测试区域,更高带宽的CDM测试机台

ESDEMC即将发布新开发的ES640系列自动化CDM(Charged Device Model, 充电器件模型)测试机台。 ES640可支持多种现行的CDM测试方法包括广泛使用的场感应放电(FI-CDM)测试方法(ANSI / ESDA / JEDEC JS-002-2018,AEC Q100-011D,AEC Q101-005A),为低压CDM设计的多种先接触再放电(CCDM)测试方法,例如LI -CCDM(ANSI / ESD SP5.3.3-2018),CC-TLP方法,以及我们正在申请专利的RP-CCDM方法。RP-CDM是一种高稳定度的,最接近JS002标准的CCDM测试方法,其校准波形完全符合JS002中的波形标准。

ES640型的高精度电机驱动可将XYZ方向的移动步进降至1 µm,可进行电路模块,封装器件和一些晶圆级的CDM测试。 该解决方案还具有更大的测试区域(150 x 150和300 x 300 mm)。 两种型号都为被测器件或模块提供了足够的空间。 另外,ES640系列机台也可根据客户需求,定制测试区域面积。

ES640使用DSP,可以大大提高测量带宽。对测试链路(包括盘式电阻器,线缆,衰减器和测量通道接头)的频率补偿算法,可以使系统测量带宽超过18 GHz

ES640型具有±5V至±2000V / 4000V的精确电压控制范围,在测试设置中最多可以启用三个摄像头,以方便用户操作(两个摄像头分别在X和Y方向上观察放电针的接触情况,另一个摄像头在Z方向进行垂直对齐)。

ES640的测试软件可以进行放电波形的自动获取,系统校准,对测量波形数据进行频率补偿数据处理,以及优化测试速度,同时支持多种CDM测试方法。 可应要求提供旧标准和定制的CDM方法。

您可随时通过[email protected]与我们取得联系,以获取有关测试系统的更多信息。

具有多种方法,更好的运动和更高带宽的CDM解决方案